氮化物半导体材料，也称为氮化镓(GaN)基材料，是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)及它们的合金(禁带宽度范围为0.7-6.2eV)，是直接带隙半导体，是制作从紫外到可见光波段半导体激光器的理想材料。半导体激光器具有体积小、效率高、寿命长和响应速度快等优点，在信息科技等领域有广泛的应用，是光电子产业的龙头产品。氮化镓激光器在激光显示、激光照明、水下通信、生物医学等民用及军用领域有广泛应用。
据中国半导体行业协会支撑业分会的测算，2016年我国半导体材料市场规模为647亿元，比2015年的591亿元增长9.5%。自2011年以来，我国半导体材料的市场规模及增长率如下图所示。在2016年我国半导体材料市场中，集成电路晶圆制造材料的市场规模为330.28亿元，同比增长4.2%;集成电路封装材料的市场规模为318.0亿元，同比增长16.1%。根据中研普华产业研究院数据显示，2017年半导体材料市场规模达到711.6亿元，同比增长9.83%。
GaN最初是为支持政府军事和太空项目而开发，但已得到商业市场的完全认可和应用，在无线基础设施领域的应用已超越国防应用，市场占比超过GaN市场总量的一半以上。随着对数据传输及更高工作频率和带宽需求的增长，2016-2022年无线基础设施领域的CAGR将达到16%。在未来的网络设计中，如载波聚合和大规模MIMO等新技术的发展应用，将使GaN比现有横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)更具优势。但与此同时，国防领域仍将是GaN不可忽视的重要应用市场，并保持稳定增长。GaN在国防领域的应用主要包括IED干扰器、军事通讯、雷达、电子对抗等。
2017-2018年，在无线基础设施及国防应用市场需求增长的推动下，GaN市场会进一步放大，但增速会较2015年有所放缓。2019-2020年，5G网络的实施将接棒推动氮化镓市场增长。预计到未来10年，氮化镓市场将有望超过30亿美元。
