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致真存储
加速磁性随机存储器芯片MRAM
致真存储
致真存储（北京）科技有限公司（以下简称“致真存储”）成立于2019年7月，致力于MRAM芯片的研发和制造。公司团队历经十余年，成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结，是国内首个80nm以下MRAM核心器件，其关键指标达到国际领先水平。自有国内首创8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，实现产品全流程自主可
入库
2025-04-17 22:01:23
修改
1970-01-01 08:00:00
安检
2025-05-18 00:22:51
自检
2025-05-13 22:25:43
主体
致真存储（北京）科技有限公司
ICP
京ICP备2021010870号-1
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发布人：Mr.zhu
未知
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