加速磁性随机存储器芯片MRAM

致真存储

致真存储（北京）科技有限公司（以下简称“致真存储”）成立于2019年7月，致力于MRAM芯片的研发和制造。公司团队历经十余年，成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结，是国内首个80nm以下MRAM核心器件，其关键指标达到国际领先水平。自有国内首创8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，实现产品全流程自主可

入库

2025-04-17 22:01:23

修改

1970-01-01 08:00:00

安检

2025-05-18 00:22:51

自检

2025-05-03 20:28:24

主体

致真存储（北京）科技有限公司

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京ICP备2021010870号-1

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发布人：Mr.zhu

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